我们很荣幸公布模拟软体(APSYS, LASTIP, PICS3D 和OPTOWIZARD)的更新版本 Aug14已释出。
此版本主要的更新为对Crosslight有名的复合式半导体材料资料库系统作全面性的升级，简易化复杂资料库(SCXLIB)为新的材料资料系统，统一不同类型(不同类型量子阱、量子线、量子点和主动有源主体区域)被动式与主动式半导体材料巨集并提供更清楚明白的材料名称。
SCXLIB材料系统对Crosslight软体的新使用者来说更清楚且容易设定，对专业使用者来说，新资料系统提供各应用在处理复杂量子阱、量子线及量子点的结构更好的一致性与健全性。
新版本Aug14维持全面的相容性让用户半自动顺利从现有的文件移转到新的SCXLIB系统，在完全的移转过程结束前我们提供旧有材料系统的支持。
其他显著的特征包含多重量子阱(MQW)的非区域性量子转移模型的升级，新版本Aug14引入一模型去补偿热载子因CCCH俄歇复合所产生的漏电现象，这是最近在实验中被证实的效应。俄歇热模型与其他现有模型如氮化镓发光二极管的电子外溢和空穴注入相作用，我们很荣幸提供软件APSYS Aug14版协助各学校尝试验证长久以来连续不断对发光二极管光衰起源的争论。
升级版混和模态模型让使用者能够处理在一电路环境下的多种TCAD器件，使用者可以对个别器件设置工艺和器件的仿真的网格(2D或3D)，我们的Minispice模型(Crosslight对SPICE的实现)可以被加入个别器件在一电路模拟中使用。
在感应器应用方面，因非常态性原子界面(如位在第二代铝化铟/鍗化镓的超晶格)而产生的k.p 扰动的实现已经成为改进我们模型的第一步，对模型(包含周期性量子阱边界条件以及增益计算)完整版仿真很快将于我们的测试版本释出，欲先取得使用权请联络我们Crosslight。
其他改进包含增进系列模型的流动性、增强有限时域差分法(FDTD)在OPTOWIZARD软件的能力以及改进先进NEGF移动模型，欲了解更多细节请联络我们Crosslight。
