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2013 新消息

2013版本的器件模拟加入重离子辐射模型 (2013年10月4日)

APSYS已加入一新模型且我们的其他器件模拟能够模拟一重离子击对器件性能的影响,这使得软件可以汇入第三方软件工具如 SRIM/TRIM 的线性能量转移(LET)资料。

2013版本器件模拟已发布 (2013年9月24日)

2013版本的标志着Crosslight器件模拟软件APSYS, PICS3D及LASTIP的高度成熟,下列为软件近期更新与提升的要点:

  • 新系统让使用者能够除了材料编号以外自订义材料标签,在材料编号改变的情况下增进使用的弹性与方便性。
  • 使用GPU技术使Crosslight FDTD的速度大大提升。
  • LayerBuilder使用者图形介面的网格消除更容易。
  • 改善输出资料格式并大大增进CrosslightView对大型3D网格的处理速度。
  • 改善网格与GPU的使用提升计算速度。
  • 增加新模型补偿边际模型与主模型的竞争(PICS3D)。
  • 增加多种光学补偿与损失、光腔传导常数、线宽与杂讯等,增进资料输出的能力。
  • 自动设定金属功率函数已增进欧姆接触(Ohmic contact)的条件。
  • 增加载流子产生与注入模型的弹性让快闪记忆体的读写过程更简单。
  • 3D模拟的浓度文件可以作跨多网格平面的单一宣告。
  • 改进多体增益模型的预设值使能带重整化效应增强,符合实验测量结果。
  • 实现非稳态格林函式(NEGF)法。
  • 多模式模拟的电路格式与多种版本的SPICE相容。
  • 改良光线追踪程式使频谱资料有更好的输出(APSYS)。

Crosslight在渥太华 (Ottawa) 举行短期课程 (2013年9月9日)

Crosslight很高兴在此宣布为期三天的光器件及高电子迁移率电晶体模拟课程于10月17日至19日在渥太华/加地诺(Ottawa/Gatineau)举行,此课程活动由CMC Microsystems举办,注册资讯与更多细节请参考此连结

Crosslight在2013 NUSOD的软件教学 (2013年8月28日)

Crosslight很高兴在8月23日星期五的NUSOD加拿大研讨会提供一场光电子器件模拟的半天免费课程,细节请参阅此连结

请先进行报名并于于当天携带Windows笔记本电脑以便在课程当中进行demo程序。

FDTD模拟技术的突破 (2013年5月28日)

Crosslight很荣幸宣布一项FDTD模拟技术伴随高效率GPU加速的突破,使用平价GPU卡达到最新66x加速因子。

可以在Crosslight TCAD工具包括OptoWizard、APSYS和PICS3D中使用新模组,有兴趣的使用者可以向Crosslight索取试用版本,更多细节请参阅此连结

新混合式NEGF法 (2013年2月27日)

Crosslight很高兴宣布对器件模拟的非稳态格林函式(NEGF)法已经成功实现,NEGF法被认为是对元件内纳米级载流子传输建模最先进的方法,由于其计算上的复杂性,我们採用一种复合式的方法,将一器件分化成一量子弹道制(QBT)以及多种经典的漂浮扩散制(DD),需要大量计算的NEGF法只被用于量子弹道制,并且被无缝整合于Crosslight的APSYS器件仿真软件,Crosslight的用户在进行NEGF模拟和典型TCAD模拟将能够感受到除了处理速度因为NEGF必须的额外数字计算而略为下降外,其他并无差别。

新模型已经可以在APSYS 2013 beta版本中使用,更多细节请参阅新的投影片,投影片列出3D FINFET从头到尾的製程与元件模拟步骤,展示如何使用NEGF模型。为了使模拟更加精确,量子限制效应依据量子线状态密度(DOS)理论作处理。

现在的Crosslight TCAD工具使用者以及新使用者欢迎联繫我们索取免费试用版,申请表请至此连结填写。